大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于化学气相沉积平流反应器的问题，于是小编就整理了5个相关介绍化学气相沉积平流反应器的解答，让我们一起看看吧。

1. 气相沉积是什么意思?
2. 水处理中,平流沉淀池属于什么类型的反应器,为什么?
3. 说明化学气相沉积SiO2,Si3N4 等薄膜的工艺原理与工艺方法
4. 什么是化学气相沉积
5. 原子层沉积和化学气相沉积有什么不同

1、气相沉积是什么意思?

化学气相沉积（Chemical vapor deposition，简称CVD）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。

CVD（化学气相沉积）是一种薄膜制备技术，其原理是在适当的气氛中提供反应气体，使其在基底表面发生化学反应并沉积形成薄膜。

PVD：物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能（强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等）的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。

2、水处理中,平流沉淀池属于什么类型的反应器,为什么?

平流式沉淀池是废水从池的一段进入，从另一端流出，水流在池内做水平运动，池平面形状呈长方形，可以是单个或多个串联。

沉淀池根据池内水流方向分为（3种）：平流沉淀池、辐流式沉淀池、竖流沉淀池。酸性废水的中和药剂：石灰CaO、石灰石CaCO氢氧化钠NaOH。碱性废水的中和药剂：工业盐酸。

平流式沉淀池的原理，平流式沉淀池表面形状一般为长方形，水流在进水区经过消能和整流进入沉淀区后，缓慢水平流动，水中可沉悬浮物逐渐沉向池底，沉淀区出水溢过堰口，通过出水槽排出池外。

平流式沉淀池由进、出水口、水流部分和污泥斗三个部分组成。水池表面呈长方形，进出口位于水池两端。进气道通常使用浸入式进气道。水通过均匀分布的进水孔流入水池。进水孔后设有挡板，使水流均匀地分布在水池的横截面上。

3、说明化学气相沉积SiO2,Si3N4 等薄膜的工艺原理与工艺方法

原理： 反应气体供应：选择适当的反应气体或气体混合物，通常是含有所需元素的化合物气体。这些气体通过供气系统引入反应室。 反应气氛控制：调节反应室的温度和压力等参数，以适应所需的反应条件。

生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD）。

如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： [1]利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 [2]等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

物理气相沉积（PVD，Physical Vapor Deposition）：通过物理过程将固态材料转化为气态，然后在基材上沉积形成薄膜。PVD的主要技术包括热蒸发、电子束蒸发、溅射沉积等。

化学气相沉积主要是以SiH2ClSiHClSiCl4或SiH4，为反应气体，在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiOSi3N4等。

4、什么是化学气相沉积

化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。

CVD法是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）的缩写，它是一种薄膜制备技术。CVD法通过在适当的气氛中提供反应气体，使其在基底表面发生化学反应并沉积形成薄膜。

CVD（Chemical Vapor Deposition， 化学气相沉积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

化学气相沉积是一种材料表面改性技术，它是在不改变基体材料的成份和不削弱基体材料的强度的条件下，赋予材料表面特殊的性能，满足工程实际中对材料的要求。

5、原子层沉积和化学气相沉积有什么不同

原子层沉积属于化学吸附，化学气相沉积是物理吸附。原子层沉积，是通过将 气相 前驱体脉冲交替地通入 反应器并在沉积基体上 化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。

化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）：在高温或低温下，利用气态前驱体与基材表面发生化学反应，生成薄膜。CVD的主要技术包括热CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、金属有机CVD（MOCVD）等。

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd：（Vapor ），指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD：原子层沉积。

区别：化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

到此，以上就是小编对于化学气相沉积平流反应器的问题就介绍到这了，希望介绍关于化学气相沉积平流反应器的5点解答对大家有用。