反应离子刻蚀反应器-反应离子刻蚀反应器原理

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等离子去胶法，去胶气体为氧气。其工作原理是将硅片置于真空反应系统中，通入少量氧气，加1500 V高压，由高频信号发生器产生高频信号，使石英管内形成强的电磁场，使氧气电离，形成氧离子、活化的氧原子、氧分子和电子等混合物的等离子体的辉光柱。

等离子去胶机，是广泛应用于去胶的设备。去胶机通过氧原子和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶。光刻胶的基本成分是碳氢聚合物，氧原子可以很快地和光刻胶反应生成一氧化碳、二氧化碳和水等，这些生成物会被真空系统抽走。干法去胶既不需要化学试剂，也不需要加温。

光刻胶是晶圆制造中的核心材料，占整个制造成本的35%，耗时40-50%。在光刻工艺中，去胶是关键步骤，用于清除光刻胶残留。后摩尔定律时代，半导体行业对光刻胶去胶工艺要求提高，需处理复杂器件结构。去胶工艺的微小变化会影响器件性能。光刻胶去除分为湿法和干法去胶。

等离子表面活化/清洗；等离子蚀刻/活化；等离子去胶；等离子涂镀（亲水，疏水）；增强邦定性；等离子灰化和表面改性等大规模生产场合，通过其处理，能够改善材料表面的浸润能力，使多种材料能够进行涂覆、镀等操作，增强黏合力，键合力，同时去除有机污染物、油污或油脂。

对机器起到保护的作用。微波等离子去胶机是主要用于半导体加工工艺及其它薄膜加工工艺过程中，其外壳的作用是起到保护机器的作用。微波等离子去胶机是一种用于电子与通信技术领域的工艺试验仪器，于2015年10月26日启用。

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