气相沉积镀膜反应器，化学气相沉积制备薄膜

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化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。

CVD法是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）的缩写，它是一种薄膜制备技术。CVD法通过在适当的气氛中提供反应气体，使其在基底表面发生化学反应并沉积形成薄膜。

CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积），指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

化学气相沉积是一种制备材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。

化学气相沉积是一种材料表面改性技术，它是在不改变基体材料的成份和不削弱基体材料的强度的条件下，赋予材料表面特殊的性能，满足工程实际中对材料的要求。

化学气相沉积（Chemical vapor deposition，简称CVD）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

CVD（化学气相沉积）是一种薄膜制备技术，其原理是在适当的气氛中提供反应气体，使其在基底表面发生化学反应并沉积形成薄膜。

PVD：物理气相沉积：指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能（强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等）的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。

PVD即物理气相沉积工艺。pvd是指在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。

原子层沉积属于化学吸附，化学气相沉积是物理吸附。原子层沉积，是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。

化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）：在高温或低温下，利用气态前驱体与基材表面发生化学反应，生成薄膜。CVD的主要技术包括热CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、金属有机CVD（MOCVD）等。

cvd：Chemical Vapor Deposition 化学气相沉积，众多薄膜沉积技术中的一种。pvd：（Vapor ），指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。ALD：原子层沉积。

区别：化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

原理：反应气体供应：选择适当的反应气体或气体混合物，通常是含有所需元素的化合物气体。这些气体通过供气系统引入反应室。反应气氛控制：调节反应室的温度和压力等参数，以适应所需的反应条件。

生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。与之相对的是物理气相沉积（PVD）。

如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用： [1]利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。 [2]等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。

物理气相沉积（PVD，Physical Vapor Deposition）：通过物理过程将固态材料转化为气态，然后在基材上沉积形成薄膜。PVD的主要技术包括热蒸发、电子束蒸发、溅射沉积等。

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